Simcenter Micred T3STER SI是一款先進的無損瞬態熱測試器，可對封裝半導體裝置（如二極管、雙極型晶體管、功率場效應管、絕緣柵雙極晶體管、電源 LED 指示燈）和多晶片裝置進行熱特性分析。 Simcenter Micred T3STER SI能夠比穩態方法更有效地測量真正的熱瞬態響應。測量結果偏差最多為 ±0.01°C，而解算時間最多為 1 微秒，因此可產生精確的熱測量值。結構函數對響應進行后處理，將其繪圖以顯示封裝特征在熱流通道上的熱阻值和電容量。 Simcenter Micred T3STER SI 是一款理想的前處理和后處理應力失效檢測工具。測量結果可導出用于熱模型校準，從而增強熱設計工作的準確性。
通過使用Simcenter Micred T3STER SI ，半導體制造商可以設計芯片和優越的散熱性能IC及發布可靠的熱數據給下游應用，而設備制造商能夠設計出可靠的產品，避免在整個產品的生命周期熱引起的故障。 與其他系統不同， Simcenter Micred T3STER SI直接測量實際加熱或冷卻曲線 - 封裝的半導體器件的熱瞬態響應 - 而不是人為地從單獨的響應構成它們。 Simcenter Micred T3STER提供了一次極為精確的溫度測量（0.01°C）和1微秒測量分辨率。
Simcenter Micred T3STER SI實現了最新的JEDEC熱測試標準以及符合JEDEC的熱電阻測量和動態特性。這也充分支持了瞬態雙接口法（JEDEC JESD51-14標準，在2010年出版）和最新的LED熱測試標準（JEDEC JESD51-51，51-52，出版于2012年）。
Simcenter Micred T3STER SI 僅使用電氣連接進行供電和感測，即可測試封裝 IC，快速提供可重複的結果，無需對同一部件進行多次測試。組件可進行現場測試，測試結果可作為緊湊熱模型或用於校準配合Simcenter Flotherm 或 Simcenter FloEFD詳細模型，以提高CFD的仿真的準確性。
